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軟開(kāi)關(guān)電源的技術(shù)開(kāi)發(fā)與應用

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軟開(kāi)關(guān)電源的技術(shù)開(kāi)發(fā)與應用

發(fā)布時(shí)間:2018-08-21

相對于開(kāi)關(guān)電源來(lái)說(shuō),軟開(kāi)關(guān)電源可能部分的用戶(hù)并不了解,隨著(zhù)技術(shù)的不斷革新和科技的不斷進(jìn)步,一些高技術(shù)含量的產(chǎn)品從原材料到每一個(gè)零件出爐再到各個(gè)零件組裝成成品。由一家企業(yè)獨立完成是不現實(shí)的。分工上越來(lái)越細致,每一個(gè)產(chǎn)品的完成都需要經(jīng)過(guò)數十道甚至幾百到程序完成。這也成就了大批靠著(zhù)做產(chǎn)品零件的企業(yè)的發(fā)展。但卻因為質(zhì)量上和技術(shù)上的差異造成了市場(chǎng)上產(chǎn)品的參差不齊。這也是不可避免的。本文針對軟開(kāi)關(guān)電源的一些知識進(jìn)行解答。

定義:軟開(kāi)關(guān)技術(shù)就是半導體開(kāi)關(guān)在開(kāi)通時(shí)或斷開(kāi)時(shí)其時(shí)間非常短,使流過(guò)開(kāi)關(guān)的電流或施加在開(kāi)關(guān)上的電壓減小,從而降低開(kāi)關(guān)損耗。硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)主要是針對開(kāi)關(guān)管(MOSFET)來(lái)講的,硬開(kāi)關(guān)是不管開(kāi)關(guān)管(DS極或CE極)上的電壓或電流,強行turn on或turn off開(kāi)關(guān)管,當開(kāi)關(guān)管上(DS極或CE極)電壓及電流較大時(shí)開(kāi)關(guān)管動(dòng)作,由于開(kāi)關(guān)管狀態(tài)間的切換(由開(kāi)到關(guān),或由關(guān)到開(kāi))需要一定的時(shí)間,這會(huì )造成在開(kāi)關(guān)管狀態(tài)間切換的某一段時(shí)間內電壓和電流會(huì )有一個(gè)交越區域,這個(gè)交越造成的開(kāi)關(guān)管損耗稱(chēng)為開(kāi)關(guān)管的切換損耗。

軟開(kāi)關(guān)是指通過(guò)檢測開(kāi)關(guān)管電流或其他技術(shù),做到當開(kāi)關(guān)管兩端電壓或流過(guò)開(kāi)關(guān)管電流為零時(shí)才導通或關(guān)斷開(kāi)關(guān)管,這樣開(kāi)關(guān)管就不會(huì )存在切換損耗。

一般來(lái)說(shuō)軟開(kāi)關(guān)的效率較高(因為沒(méi)有切換損);操作頻率較高,PFC或變壓器體積可以減少,所以體積可以做的更小。但成本也相對較高,設計較復雜。

開(kāi)關(guān)電源中,主控元器件MOSFET、ICBT、晶閘管等是作為開(kāi)關(guān)使用的,而且,其根據開(kāi)關(guān)的通/斷控制能傳遞的流向。這里,因為控制過(guò)程只是開(kāi)關(guān)的通/斷,所以從理論上講,可以是無(wú)損耗地對功率進(jìn)行控制,而且能通過(guò)改變開(kāi)關(guān)的占空比對功率進(jìn)行連續控制。這樣,提高開(kāi)關(guān)的工作頻率,就可以使電子設備的電源小型輕量化,或者提高其控制性能。然而,實(shí)際上采用的半導體元器件都不是理想的,都具有一定的導通與截止的時(shí)間,另外,在控制電路中也還存在有接線(xiàn)電感及變壓器漏感、寄生電容、二極管蓄積電荷等的影響。這些因素會(huì )產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗及浪涌,使電子設各的性能下降,而且,其形成的噪聲還會(huì )影響周?chē)娮釉O備的正常工作。

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