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4009998755氮化鎵是一種新型半導體材料，具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性，在早期廣泛運用于新能源汽車(chē)、軌道交通、智能電網(wǎng)、半導體照明、新一代移動(dòng)通信，被譽(yù)為第三代半導體材料。隨著(zhù)技術(shù)突破成本得到控制，目前氮化鎵還被廣泛運用到消費類(lèi)電子等領(lǐng)域，充電器便是其中一項。簡(jiǎn)單的說(shuō)，氮化鎵擁有更寬的帶隙，寬帶隙也意味著(zhù)，氮化鎵能比硅承受更高的電壓，擁有更好的導電能力，相同體積下，采用氮化鎵技術(shù)的充電器比普通充電器輸出效率更高。打個(gè)比方說(shuō)，采用氮化鎵材料做出來(lái)的充電頭，體積和蘋(píng)果5W充電器差不多大小的情況下，能實(shí)現更多的輸出功率
